Кремнієва пластина CZ

опис

Монокристалічна кремнієва пластина CZ вирізаний із зливка монокристалічного кремнію, витягнутого методом вирощування Чохральського CZ, який найбільш широко використовується для вирощування кристалів кремнію великих циліндричних зливків, що використовуються в електронній промисловості для виготовлення напівпровідникових пристроїв.У цьому процесі тонка затравка кристалічного кремнію з точними допусками орієнтації вводиться в розплавлену кремнієву ванну, температура якої точно контролюється.Затравковий кристал повільно витягується вгору з розплаву з дуже контрольованою швидкістю, кристалічне затвердіння атомів з рідкої фази відбувається на межі розділу, затравковий кристал і тигель обертаються в протилежних напрямках під час цього процесу вилучення, створюючи велику одиницю кристалічний кремній з ідеальною кристалічною структурою насіння.

Завдяки магнітному полю, що застосовується до стандартного витягування злитка CZ, індукований магнітним полем монокристалічний кремній Чохральського MCZ має порівняно нижчу концентрацію домішок, нижчий рівень кисню та дислокації та рівномірну зміну питомого опору, що добре працює у високотехнологічних електронних компонентах і пристроях. виготовлення в електронній або фотоелектричній промисловості.

Доставка

Монокристалічна кремнієва пластина CZ або MCZ із провідністю n-типу та p-типу на Western Minmetals (SC) Corporation може поставлятися в розмірах 2, 3, 4, 6, 8 та 12 дюймів у діаметрі (50, 75, 100, 125, 150, 200 і 300 мм), орієнтація <100>, <110>, <111> з поверхневою обробкою внахлест, протравлена та полірована в упаковці з пінопластової коробки або касети з картонною коробкою зовні.

Запит зараз

Подробиці

Монокристалічна кремнієва пластина CZ є основним матеріалом у виробництві інтегральних схем, діодів, транзисторів, дискретних компонентів, які використовуються у всіх типах електронного обладнання та напівпровідникових пристроїв, а також підкладки для епітаксійної обробки, підкладки для пластин SOI або виготовлення напівізоляційних пластин, особливо великих діаметри 200 мм, 250 мм і 300 мм є оптимальними для виготовлення ультра високоінтегрованих пристроїв.Монокристалічний кремній також у великих кількостях використовується для сонячних елементів у фотоелектричній промисловості, майже ідеальна кристалічна структура якого забезпечує найвищу ефективність перетворення світла в електрику.

Ні.	Предмети	Стандартна специфікація
1	Розмір	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Діаметр мм	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	150±0,5	200±0,5	300±0,5
3	провідність	P або N або нелегований
4	Орієнтація	<100>, <110>, <111>
5	Товщина мкм	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 або як потрібно
6	Питомий опір Ω-см	≤0,005, 0,005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 тощо
7	RRV макс	8%, 10%, 12%
8	Первинна площина/довжина мм	Як стандарт SEMI або за потребою
9	Вторинна плоска/довжина мм	Як стандарт SEMI або за потребою
10	TTV мкм макс	10	10	10	10	10	10
11	Лук і деформація мкм макс	30	30	30	30	30	30
12	Оздоблення поверхні	Розріз, L/L, P/E, P/P
13	Упаковка	Поролоновий ящик або касета всередині, картонна коробка зовні.

символ	Si
Атомний номер	14
Атомна вага	28.09
Категорія елемента	Металоїд
Група, Період, Блок	14, 3, с
Кристалічна структура	діамант
Колір	Темно-сірий
Точка плавлення	1414°C, 1687,15 К
Точка кипіння	3265°C, 3538,15 К
Щільність при 300К	2,329 г/см³
Власний питомий опір	3,2E5 Ом-см
Номер CAS	7440-21-3
Номер ЄС	231-130-8

Монокристалічна кремнієва пластина CZ або MCZn-тип і p-тип провідності в Western Minmetals (SC) Corporation можуть поставлятися в розмірах 2, 3, 4, 6, 8 і 12 дюймів діаметром (50, 75, 100, 125, 150, 200 і 300 мм), орієнтація <100>, <110>, <111> з поверхневою обробкою як нарізана, притерта, витравлена та відполірована в упаковці з пінопластової коробки або касети з картонною коробкою зовні.