Арсенід індію InAs

опис

Кристал арсеніду індію InAs є складним напівпровідником групи III-V, синтезованим принаймні 6N 7N чистим елементом індію та миш’яку та вирощеним монокристалом за допомогою VGF або інкапсульованого в рідині процесу Чохральського (LEC), вигляд сірого кольору, кубічні кристали зі структурою цинкової обманки , температура плавлення 942 °C.Ширина забороненої зони арсеніду індію є прямим переходом, ідентичним арсеніду галію, а ширина забороненої зони становить 0,45 еВ (300 К).Кристал InAs має високу однорідність електричних параметрів, постійну гратку, високу рухливість електронів і низьку щільність дефектів.Циліндричний кристал InAs, вирощений за допомогою VGF або LEC, може бути нарізаний і виготовлений у вигляді пластини, протравлений, відполірований або готовий для епітаксійного росту MBE або MOCVD.

Додатки

Кристалічна пластина з арсеніду індію є чудовою підкладкою для виготовлення пристроїв Холла та датчика магнітного поля завдяки його високій рухливості за Холлом, але вузькій енергетичній забороненій зоні, ідеальному матеріалі для створення інфрачервоних детекторів із діапазоном довжин хвиль 1–3,8 мкм, які використовуються у додатках з більшою потужністю. при кімнатній температурі, а також середньої довжини хвилі інфрачервоні надграткові лазери, виготовлення світлодіодних пристроїв середньої довжини хвилі для діапазону довжин хвиль 2-14 мкм.Крім того, InAs є ідеальною підкладкою для подальшої підтримки гетерогенної надгратчастої структури InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb або AlGaSb тощо.

Запит зараз

Подробиці

Кристалічна пластина арсеніду індіює чудовою підкладкою для виготовлення пристроїв Холла та датчиків магнітного поля завдяки його високій рухливості за Холлом, але вузькій енергетичній зоні, ідеальному матеріалі для створення інфрачервоних детекторів із діапазоном довжин хвиль 1–3,8 мкм, які використовуються в додатках з більшою потужністю при кімнатній температурі, а також середньої довжини хвилі інфрачервоні суперґраткові лазери, виготовлення світлодіодних пристроїв середньої довжини хвилі для діапазону довжин хвиль 2-14 мкм.Крім того, InAs є ідеальною підкладкою для подальшої підтримки гетерогенної надгратчастої структури InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb або AlGaSb тощо.

Ні.	Предмети	Стандартна специфікація
1	Розмір	2"	3"	4"
2	Діаметр мм	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Метод зростання	LEC	LEC	LEC
4	провідність	P-тип/легований Zn, N-тип/легований S, нелегований
5	Орієнтація	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Товщина мкм	500±25	600±25	800±25
7	Орієнтація Плоский мм	16±2	22±2	32±2
8	Ідентифікація Плоский мм	8±1	11±1	18±1
9	Рухливість см2/Vs	60-300, ≥2000 або за потребою
10	Концентрація носія см-3	(3-80)E17 або ≤5E16
11	TTV мкм макс	10	10	10
12	Лук мкм макс	10	10	10
13	Деформація мкм макс	15	15	15
14	Щільність дислокації см-2 макс	1000	2000 рік	5000
15	Оздоблення поверхні	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Упаковка	Контейнер для вафель, запечатаний в алюмінієвий пакет.

Лінійна формула	InAs
Молекулярна маса	189,74
Кристалічна структура	Цинкова суміш
Зовнішній вигляд	Сіра кристалічна речовина
Точка плавлення	(936-942)°C
Точка кипіння	N/A
Щільність при 300К	5,67 г/см³
Енергетичний розрив	0,354 еВ
Власний опір	0,16 Ом-см
Номер CAS	1303-11-3
Номер ЄС	215-115-3

Арсенід індію InAsкорпорація Western Minmetals (SC) може постачати у вигляді полікристалічних кусків або монокристалів, вирізаних, витравлених, полірованих або готових до епі-готових пластин розміром 2” 3” і 4” (50 мм, 75 мм, 100 мм) діаметром, а також p-тип, n-тип або нелегована провідність і орієнтація <111> або <100>.Індивідуальна специфікація є ідеальним рішенням для наших клієнтів у всьому світі.