Арсенід галію GaAs

опис

арсенід галіюGaAs це напівпровідник з прямою забороненою зоною групи III-V, синтезований щонайменше 6N 7N високочистим елементом галію та миш’яку, і вирощений кристал за допомогою процесу VGF або LEC з високочистого полікристалічного арсеніду галію, сірого кольору, кубічних кристалів зі структурою цинкової обманки.З додаванням вуглецю, кремнію, телуру або цинку, щоб отримати n-тип або p-тип і напівізоляційну провідність відповідно, циліндричний кристал InAs можна нарізати та виготовляти на заготовку та пластину у вигляді вирізаних, витравлених, полірованих або епі. - готовий до епітаксійного росту MBE або MOCVD.Пластина арсеніду галію в основному використовується для виготовлення електронних пристроїв, таких як інфрачервоні світлодіоди, лазерні діоди, оптичні вікна, польові транзистори на польових транзисторах, лінійні цифрові мікросхеми та сонячні елементи.Компоненти GaAs корисні в надвисоких радіочастотах і в додатках із швидкою електронною комутацією, у додатках із посиленням слабкого сигналу.Крім того, підкладка з арсеніду галію є ідеальним матеріалом для виготовлення радіочастотних компонентів, мікрохвильових частот і монолітних мікросхем, а також світлодіодних пристроїв в системах оптичного зв’язку та керування завдяки своїй мобільності, високій потужності та температурній стабільності.

Доставка

Арсенід галію GaAs корпорації Western Minmetals (SC) може поставлятися у вигляді полікристалічної куски або монокристалічної пластини у вигляді вирізаних, витравлених, полірованих або готових до обробки пластин розміром 2” 3” 4” і 6” (50 мм, 75 мм, 100 мм, 150 мм) діаметром, з p-типом, n-типом або напівізоляційною провідністю та орієнтацією <111> або <100>.Індивідуальна специфікація є ідеальним рішенням для наших клієнтів у всьому світі.