Оксид галію

опис

Оксид галію Ga₂O₃99,99%, 99,999% і 99,9999% 4N 5N 6N, білий твердий порошок як у α, так і в β кристалічній фазі, CAS 12024-21-4, молекулярна маса 187,44, температура плавлення 1740°C, нерозчинний у воді, але розчинний у більшості кислот, це прозорий оксидний напівпровідниковий матеріал із чудовими властивостями надзвичайно великої ширини забороненої зони понад 4,9 еВ і доступністю високоякісних власних підкладок великого розміру, виготовлених із монокристалів, вирощених у розплаві.Оксид галію Ga₂O₃має широкі перспективи застосування в оптоелектронній промисловості, наприклад, як ізоляційний шар для напівпровідникових матеріалів на основі Ga, як ультрафіолетові фільтри, як хімічні зонди для кисню, ізоляційний бар’єр для герметичних з’єднань, оптичні напівпровідникові пристрої та застосування в кераміці.Оксид галію також використовується у світлодіодах, світлодіодах, флуоресцентному порошку, реагенті високої чистоти, а також у лазерах та інших люмінесцентних матеріалах тощо.

Доставка

Оксид галію або триоксид галію Ga₂O₃ у кристалографічній формі типу α або β з чистотою 99,99%, 99,999% та 99,9999% （4N 5N 6N） у Western Minmetals (SC) Corporation може поставлятися у розмірі порошку D50 ≤ 4,0 мікрон，-80 меш （≤0,18 мікрон） або 50-100 меш (0,15-0,30 мікрона) в упаковці по 1 кг, 2 кг у поліетиленовій пляшці або 1 кг, 2 кг, 5 кг у вакуумному алюмінієвому композитному пакеті з картонною коробкою поза 10 кг або 20 кг нетто кожен, або як індивідуальні специфікації для ідеальних рішень .